高通、AMD等有意导入三星3nm制程 台积电加快量产脚步

随着芯片行业的发展，7nm，3nm工艺越发先进，新工艺带来的是热量能耗的下降，12月6日，有消息称据台积电冲刺3nm制程，目前已进入试产阶段，有望至少提前一季度至明年第二季度量产。

台积电不评论 3nm 制程相关市场传闻。业界人士指出，台积电与三星在先进制程与海外布局方面竞争激烈，三星目前在美国新厂投资规模暂时领先，意在 3nm 量产日程方面超过台积电，消息称高通、AMD 等台积电重量级客户都有意导入三星 3nm 制程。

业界人士透露，台积电面对三星的追赶，正积极加快 3nm 量产脚步，若能提前量产 3nm，预计第一批客户将有包括联发科、英伟达等大厂。联发科执行长蔡明介日前表示，与台积电合作紧密，5nm 及 4nm 产品已在量产过程中，3nm 会是下一个制程。

台积电与三星在 3nm 架构方面完全不同，台积电沿用既有的 FinFET 架构，三星则采用全新的 GAA 架构。

台积电原本规划，3nm 制程今年内风险性试产，预计明年下半开始量产，3nm 制程家族的 N3E 制程将于 3nm 量产之后的一年量产，3nm 家族将是另一项具大规模且长期需求的制程技术。